上证报中国证券网讯（记者 李兴彩）9月29日，三安光电旗下三安集成与金龙汽车旗下金龙新能源在厦门签署了战略合作框架协议，确定双方利用各自优势资源，共同推进碳化硅功率器件在新能源客车电机控制器、辅驱控制器的样机试制以及批量应用。随着新能源汽车的发展，第三代半导体开始显山露水，变得炙手可热。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因其宽禁带特性，拥有硅（Si）器件无法比拟的电气性能。据介绍，在纯电动汽车的“功率交换器、车载充电器和电机控制器”中采用碳化硅功率器件，能有效减小散热系统体积、显著提高工作频率进而减小无源器件体积、提高功率密度，显著降低电机控制器的能耗。简言之，采用碳化硅器件，可令电动汽车实现电气系统轻量化、低损耗快速充电、承载更大功率和提供更长续航里程。在当前碳化硅功率器件成本仍相对较高背景下，三安集成采用开放的制造平台，携手产业链伙伴和新能源汽车客户，共同加速碳化硅功率器件的产业化。三安集成是三安光电的第三代半导体业务平台，其提供从晶体生长、衬底加工、外延生长、器件设计、芯片制造到器件封测，以及完善的失效分析能力的垂直整合，全面把控产品一致性和可靠性。目前，三安集成已经推出1200V/650V碳化硅肖特基二极管（MPS结构）以及650V氮化镓E-HEMT产品，并将于今年第四季度推出1200V碳化硅MOSFET产品。尤其是在新能源汽车领域，三安集成积极参与国家新能源汽车技术创新中心“中国车规半导体首批测试验证项目”。三安集成相关人士介绍，按照汽车行业测试标准，搭载三安集成碳化硅功率器件的纯电动汽车分别进行常温试验场、高温试验场、高寒试验场测试，在不同工况下均表现出优异性能和卓越可靠性。记者了解到，今年7月，三安集成宣布长沙碳化硅制造基地动工建设，该项目总投资160亿元，占地面积1000亩，是公司具有自主知识产权的衬底、外延、芯片及封装全产业链生产基地。项目全面建成后，三安集成的碳化硅功率器件产能将从目前的2.4万片/年提升至36万片/年。
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